特許
J-GLOBAL ID：200903031843269808
シリコン単結晶ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318704
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157995
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】チョクラルスキー法によってデバイス特性に優れたシリコン単結晶ウェーハを製造する。【解決手段】(1)チョクラルスキー法によって酸素濃度が13×lO17atoms/cm3未満であるシリコン単結晶を製造する方法であって、結晶面内にリング状に現れる酸化誘起積層欠陥の潜在領域の半径が結晶半径の70%〜0%の範囲になるようにして、かつ、引き上げ速度をV(mm/min)とし、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配をG(°C/mm)とするとき、V/G値を結晶の最外周部を除く径方向位置において所定の限界値以上で制御することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。(2)酸素濃度が13×lO17atoms/cm3以上であるシリコン単結晶を製造する場合には、さらに引き上げ速度を1.0mm/min以上とすることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。上記シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配Gを伝熱計算によって算出し、V/Gの限界値を0.20mm2/°C・minとして、V/G値をそれ以上になるように制御するのが望ましい。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって酸素濃度が13×lO17atoms/cm3未満であるシリコン単結晶を製造する方法であって、結晶面内にリング状に現れる酸化誘起積層欠陥の潜在領域の半径が結晶半径の70%〜0%の範囲になるようにして、かつ、引き上げ速度をV(mm/min)とし、シリコン融点から1300°Cまでの範囲内の特定温度域における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配をG(°C/mm)とするとき、V/G値(mm2/°C・min)を結晶の最外周部を除く径方向位置において所定の限界値以上で制御することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 H
, C30B 15/00 Z
, H01L 21/208 P
