特許

J-GLOBAL ID：200903071535833923

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者： 松浦 廣行
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-002343
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303431
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】シリコン窒化膜を比較的低温で成膜することができ、しかも、膜中の引っ張り応力を十分に高くすることができる成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器4と、被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段12と、前記処理容器の外周に設けられる加熱手段66と、前記処理容器内へハロゲン元素を含まないシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段30と、前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段32と、前記窒化ガスをプラズマにより活性化する活性化手段50と、前記シラン系ガスと窒化ガスとを同時に供給しつつ前記活性化手段により前記窒化ガスを活性化させるように制御する制御手段70とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体に対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、 前記被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、 前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、 前記処理容器内へハロゲン元素を含まないシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段と、 前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段と、 前記窒化ガスをプラズマにより活性化する活性化手段と、 前記シラン系ガスと窒化ガスとを同時に供給しつつ前記活性化手段により前記窒化ガスを活性化させるように制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/509 ,  H01L21/318 B

Fターム (35件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 照明装置および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-192257   出願人：東芝ライテック株式会社
• バッチ式リモートプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-003615   出願人：株式会社日立国際電気
• ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-193846   出願人：理化学研究所, 新技術事業団
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248292   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 特開平2-226721
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141045   出願人：東京エレクトロン株式会社