特許
J-GLOBAL ID：200903071546615146
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235524
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079658
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】本発明は、再配線基板中にシリコン基板があることに起因する問題を解消した半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】シリコン基板23上にメタル薄膜層24を形成し、その上に薄膜多層基板21を形成する。薄膜多層基板21に支持部材36を接着フィルム35により貼り付け、シリコン基板23及びメタル薄膜層24を除去する。薄膜多層基板21を支持部材36と共に個片化し、パッケージ基板10に搭載する。薄膜多層基板21をアンダーフィル22によりパッケージ基板10に固定する。接着フィルム35の粘着力を低下させて、支持部材36及び接着フィルム35薄膜多層基板21から剥離し、薄膜多層基板21に半導体素子を搭載する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
薄膜多層基板と、
該薄膜多層基板に搭載された少なくとも一つの半導体素子と、
前記薄膜多層基板が接続されたパッケージ基板と、
該パッケージ基板に設けられた外部接続用端子と
よりなる半導体装置であって、
前記薄膜多層基板は前記パッケージ基板に対して固定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L23/32
, H01L21/60
, H01L23/12
, H01L23/14
, H01L25/04
, H01L25/18
H01L23/32 D
, H01L21/60 311
, H01L21/60 311S
, H01L23/12 501B
, H01L23/12 501W
, H01L25/04 Z
, H01L23/12 N
, H01L23/14 S
5F044KK02
, 5F044KK05
, 5F044KK07
, 5F044LL01
