特許

J-GLOBAL ID：200903071567923100

半導体集積回路の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195958
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060695
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【目的】 パッシブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型電気光学表示装置(例えば、液晶表示装置)において、専有面積の小さいドライバー回路の実装方法を提供する。【構成】 ドライバー回路として、マトリクスの1辺とほぼ同じ長さの回路(スティック・クリスタル)を用い、該回路を表示装置基板に接着して、回路の端子を表示装置の端子と接続した後、ドライバー回路の基板を除去する。このようにすることにより、従来のTAB法やCOG法によって必要とされていた、配線の引き回し面積がない、非常に単純な構成の回路を形成できる。特に、本発明は、ドライバー回路をガラス等の大面積基板上に形成する。さらに、表示装置をプラスチック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料上に形成することも可能で、よって、携行性の優れた表示装置が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコンを主成分とする半導体でなる剥離層を形成し、前記剥離層の上に酸化珪素でなる下地膜を形成し、前記下地膜の上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路を形成し、前記剥離層を除去することで、前記半導体集積回路を基板から分離することを含むことを特徴とする半導体集積回路の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1345

FI (3件)：

H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/1345 ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079708   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路チップの実装方法および半導体集積回路 チップの実装された電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-056783   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示用基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084609   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-178633