特許
J-GLOBAL ID：200903071583213236

両面研磨装置

発明者：
原田 晴司

原田 晴司 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-246554
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの外周部の研磨ダレを抑制し、ウェーハの平坦度を高める両面研磨装置を提供する。【解決手段】 スラリーをシリコンウェーハWに供給しながら、上,下定盤12,13の間でキャリアプレート11をそのプレート表面と平行な面内で運動させる。よってウェーハWの両面が軟質不織布パッド12,13で研磨される。その際、ウェーハ外周部の一部を両パッド12,13の外部にはみ出しながら、ウェーハWを回転して研磨する。研磨中、ウェーハ外周部は、ウェーハWが所定角度回転するごとにその非研磨領域を通過しながら研磨される。結果、ウェーハ外周部はウェーハ中心部に比べ、両パッド12,13に対する単位時間当たりの接触面積が低減して、ウェーハ外周部の研磨ダレが抑えられ、平坦度も高まる。
請求項（抜粋）：
キャリアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に半導体ウェーハを挿入・保持し、研磨砥粒を含むスラリーを半導体ウェーハに供給しながら、それぞれ研磨布が展張された上定盤および下定盤の間で、前記キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートを運動させて、前記半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨することができる両面研磨装置であって、前記半導体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部に3〜15mmだけはみ出させて、この状態で半導体ウェーハを研磨する両面研磨装置。
IPC (3件)：
B24B 37/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621
FI (3件)：
B24B 37/04 F ,  B24B 37/00 K ,  H01L 21/304 621 A
Fターム (9件)：
3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AB06 ,  3C058AC04 ,  3C058BB03 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA06 ,  3C058DA18
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 両面研磨装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055361   出願人：不二越機械工業株式会社
  • 特開平1-268032
  • 半導体ウエハの両面研磨方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-027013   出願人：直江津電子工業株式会社

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