特許

J-GLOBAL ID：200903071598019860

有機トランジスタ

発明者： 森本 廉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352961
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158140
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】ボトムコンタクト型有機トランジスタにおいて、ソースドレイン電極と有機半導体の電気接触抵抗を低減し、より高性能な有機トランジスタ構造を提供すること。【解決手段】前記従来の課題を解決するために、本発明の有機トランジスタ100は、絶縁性基板1と、ゲート絶縁膜2と、ソースドレイン電極3と、第1の有機分子薄膜4と、第2の有機分子薄膜5と、有機半導体膜6とを備えた構成において、前記第2の有機分子薄膜4がチオクレゾールであることを特徴とする。本構成によって、ソースドレイン電極3上の有機半導体膜6の結晶粒径が大きくなることにより電気接触抵抗が低減でき、より高性能な有機トランジスタを実現することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソースドレイン電極と、第1の有機分子薄膜と、第2の有機分子薄膜と、有機半導体膜とを備えた構成において、前記第2の有機分子薄膜がチオクレゾールであることを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/30

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310Z ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 250

Fターム (24件)：

5F110AA05 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-321870   出願人：株式会社日立製作所
• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078396   出願人：株式会社東芝