特許
J-GLOBAL ID：200903071632198612

基板処理方法および基板処理装置

発明者：
荒木 浩之

荒木 浩之 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067122
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281463
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】基板の表面状態に応じた処理を行い、基板の表面に良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】ウエハWの表面に対してAPM(アンモニア/過酸化水素水)による処理を施すときには、純水シリンジ57から純水導入路5に純水が一定流量で送り出される。一方、NH4OH用薬液シリンジ66からNH4OH導入路6にNH4OHが送り出されるとともに、H2O2用薬液シリンジ66からH2O2H2O2導入路6にH2O2が送り出される。APMの供給開始時は、NH4OHの流量よりもH2O2の流量の方が大きい。その後、H2O2の流量を減らしていくとともに、NH4OHの流量を増やしていくことにより、ウエハWへのAPMの供給期間の後半は、H2O2の流量よりもNH4OHの流量が大きくされる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
1つの処理槽内で、互いに性質の異なる複数の処理液の混合液を処理対象の基板に供給する混合液供給工程と、 この混合液供給工程の実行中に、上記混合液中の複数の処理液の混合比を変更する混合比変更工程と を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306
FI (5件)：
H01L21/304 642A ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/306 J
Fターム (7件)：
5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE29 ,  5F043EE31 ,  5F046LA12 ,  5F046MA02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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