特許

J-GLOBAL ID：200903071641758680

スピンフィルタ効果素子及びスピントランジスタ

発明者： 佐々木 智生 ,  田上 勝通 ,  及川 亨
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-081297
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238918
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】素子抵抗が低く、且つ、スピン偏極電子注入効率、又はスピン依存散乱効率の高いスピンフィルタ効果素子、及び、そのようなスピンフィルタ効果素子を用いたスピントランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係るスピントランジスタ10は、強磁性層SMを含む強磁性積層体を有するソース電極層3と、強磁性層DMを含む強磁性積層体を有するドレイン電極層7と、ソース電極層3及びドレイン電極層7が設けられた半導体層9と、半導体層9に直接又はゲート絶縁層GIを介して設けられたゲート電極層GEとを備え、ソース電極層3とドレイン電極層7のうち少なくとも一方は、半導体層9と強磁性積層体SM、DMとの間に介在する酸化物半導体層SO、DOをさらに有し、酸化物半導体層SO、DOは、半導体層9と、強磁性積層体との間のトンネル障壁を形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層上に設けられた酸化物半導体層と、強磁性層を有し前記酸化物半導体層の前記半導体層側とは反対側に設けられた強磁性積層体と、 を備え、 前記酸化物半導体層は、前記半導体層と、前記強磁性積層体との間のトンネル障壁を形成することを特徴とするスピンフィルタ効果素子。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (10件)：

5F092AA02 ,  5F092AA04 ,  5F092AC24 ,  5F092AC25 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-086145   出願人：科学技術振興事業団
• スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-349262   出願人：独立行政法人科学技術振興機構