特許
J-GLOBAL ID：200903056254138569

スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置

発明者：
猪俣 浩一郎

猪俣 浩一郎 について

, 
前川 禎通

前川 禎通 について

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高橋 三郎

高橋 三郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-349262
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186274
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】低電流、かつ、低磁界で大きな信号電圧が得られると共に、微細化できるスピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置を提供する。【解決手段】非磁性導電体4を共通の電極とし、他方の電極を強磁性体(6,8)とする第1と第2のトンネル接合(2,3)を、非磁性導電体4のスピン拡散長よりも短い間隔を置いて配置し、第1のトンネル接合2は強磁性金属6から非磁性導電体4にスピンを注入し、第2のトンネル接合3は第1のトンネル接合2のスピン注入に伴う電圧を強磁性金属8と非磁性導電体4の間で検出し、非磁性導電体4が金属よりもキャリア密度の低い非磁性導電体である。低電流、かつ、低磁界で大きな信号電圧が得られる。磁気装置として使用すれば、高感度磁界センサ、高感度磁気ヘッド、信号電圧の大きいMRAMなどを提供できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性導電体を共通の電極とし、他方の電極を強磁性体とする第1のトンネル接合と第2のトンネル接合とを備え、 該第1のトンネル接合と該第2のトンネル接合が、上記非磁性導電体のスピン拡散長よりも短い間隔を置いて配置され、 上記第1のトンネル接合は上記強磁性金属から上記非磁性導電体にスピンを注入するトンネル接合であり、 上記第2のトンネル接合は第1のトンネル接合のスピン注入に伴う電圧を上記強磁性金属と上記非磁性導電体の間で検出するトンネル接合であり、 上記非磁性導電体が金属よりもキャリア密度の低い非磁性導電体であることを特徴とする、スピン注入素子。
IPC (6件)：
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L39/22 ,  H01L43/12
FI (7件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 D ,  G11B5/39 ,  H01L39/22 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R
Fターム (12件)：
2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  4M113AC01 ,  4M113AC50 ,  4M113CA13 ,  4M113CA42 ,  5D034BA03 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083HA06 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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