被膜形成方法、その方法により製造された半導体装置および被膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064867
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270539
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】成膜と同時に膜質調整が可能となり、成膜後に膜質調整を行う高温アニール工程を必要とせず、低コストで無機材料被膜を形成可能な被膜形成方法およびその装置の提供を目的とする。【解決手段】成膜原料液を加熱して被処理部材5の表面に無機材料被膜を形成する被膜形成装置であって、作業チャンバ10内で被処理部材5を載置するステージ15と、作業チャンバ10内に成膜原料液を供給する原料液供給手段22と、作業チャンバ10内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段24と、作業チャンバ10内に供給された反応ガスに電子線を照射する照射手段30と、被処理部材を加熱する加熱手段17とを有する構成とした。

請求項（抜粋）：

成膜原料液を被処理部材の表面で加熱して無機材料被膜を形成する被膜形成方法であって、前記成膜原料液をミスト化するとともに、そのミスト状成膜原料液と活性化した反応ガスとを混合し、前記被処理部材の表面において前記ミスト状成膜原料液を加熱して、前記ミスト状成膜原料液の焼成物と活性化した前記反応ガスとを反応させつつ成膜することを特徴とする被膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 Z , H01L 21/285 301 Z , H01L 21/31 A , H01L 21/316 B , H01L 21/90 P

Fターム (23件)：

4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104EE14 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033PP31 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033SS00 , 5F033SS08 , 5F033XX24 , 5F045AA14 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045BB10 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF02 , 5F058BC02 , 5F058BF41

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-311571
特開昭58-208122
特開昭62-229844

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