特許

J-GLOBAL ID：200903071645197224

金属配線形成方法及びアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 野田 洋一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101573
公開番号（公開出願番号）：特開2007-280987
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。【解決手段】基板P上に下地層形成材料を含む第1液状体を塗布する工程と、塗布した第1液状体を加熱処理して下地層F1を形成する工程と、下地層F1上に金属微粒子を含む第2液状体を塗布する工程と、塗布した第2液状体を加熱処理して導電層F2を形成する工程とを有する。下地層F1が未硬化状態となる条件で第1液状体を加熱処理した後に、第2液状体を塗布する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に下地層形成材料を含む第1液状体を塗布する工程と、塗布した前記第1液状体を加熱処理して下地層を形成する工程と、前記下地層上に金属微粒子を含む第2液状体を塗布する工程と、塗布した前記第2液状体を加熱処理して導電層を形成する工程とを有する金属配線形成方法であって、 前記下地層が未硬化状態となる条件で前記第1液状体を加熱処理した後に、前記第2液状体を塗布することを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617J ,  G02F1/1368

Fターム (95件)：

2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB14 ,  2H092MA10 ,  2H092NA18 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG45 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3261699号公報
  
• 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078149   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 積層型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-017134   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (1件)

• パターン形成方法、導電性薄膜、電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-320160   出願人：セイコーエプソン株式会社