特許
J-GLOBAL ID:200903071662639451

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-046287
公開番号(公開出願番号):特開2005-234451
出願日: 2004年02月23日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、特にPEB温度依存性、露光マージン及びプロファイルなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 特定の(メタ)アクリル酸エステル繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2件):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (12件):
2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA12
引用特許:
出願人引用 (4件)
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