特許
J-GLOBAL ID：200903071673436366
スメクチック液晶組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-246812
公開番号（公開出願番号）：特開平9-048970
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】液晶素子の電圧階調性を改良するスメクチック液晶組成物を提供する。【解決手段】スメクチック液晶組成物の電圧階調性パラメーターLを0.6未満(従来は0.9以上)とする。
請求項（抜粋）：
(a) 一対の透明電極を備えた液晶セルの該透明電極間に充填された状態で、(b1)前記液晶セルの両側に一対の偏光方向制御手段をクロスニコル位に配置するとともに、(b2)前記偏光方向制御手段の一方、前記液晶セル、前記偏光方向制御手段の他方を、光がこの順序で透過し、かつ、(c) 前記一対の透明電極間に電圧を印加した際に該電圧の大きさVに応じて前記順序で透過した光の透過率Trが増加するように配置して、(d) 電圧V-光透過率Tr特性を測定すると、前記電圧Vと前記光透過率Trとの間にヒステリシス曲線が形成され、前記電圧Vを増加させた際に前記光透過率Trが急峻に増加する領域の該ヒステリシス曲線の接線IR と、前記領域と隣接する高電圧側の該ヒステリシス曲線の接線IF との交点をPとした時、式:L=SH /SO(式中、SO は、縦軸(V=0)とヒステリシス曲線との交点Qと交点Pとを両端とする直線PQを斜辺とする直角三角形の面積を表し、SH は、前記直線PQと、前記急峻に光透過率Trが増加する領域のヒステリシス曲線と、交点Pを通る電圧一定の直線とで囲まれる領域の面積を表す。)で表される電圧階調性パラメーターLが0.6未満であることを特徴とするスメクチック液晶組成物。
IPC (6件)：
C09K 19/02
, C09K 19/30
, C09K 19/32
, C09K 19/34
, C09K 19/46
, G02F 1/13 500
C09K 19/02
, C09K 19/30
, C09K 19/32
, C09K 19/34
, C09K 19/46
, G02F 1/13 500
