半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012730
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の配線間の静電容量の低減を図り回路動作速度の高速化を実現する。【解決手段】配線間隔の狭いパターンの所の層間絶縁膜中に空孔16,17を作成する。これにより配線間隔の狭い所の静電容量を低減し回路動作の高速化を行う。層間絶縁膜を高密度プラズマCVD法により堆積速度を制御することにより可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の絶縁膜を選択的に被覆する複数の配線層と、前記配線層の設けられた第1の絶縁膜を被覆する層間絶縁膜とを有する半導体集積回路装置において、前記層間絶縁膜は、互いに隣接する2つの配線層間の距離である配線間隔が所定値を越えない部分にのみ前記配線層の高さに達しない空孔が設けられて配線間の静電容量が低減されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 N , H01L 21/316 X , H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-318752
特開平1-296641
特開平3-110846

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