特許

J-GLOBAL ID：200903075897775170

半導体装置の製造方法

発明者： 平山 武司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032886
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221179
出願日： 1994年02月05日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 配線層の上に形成された層間絶縁膜の平坦性を向上せしめて半導体装置の歩留りを向上せしめること。【構成】 第1の層間絶縁膜1上にアルミニウム配線層2を形成し、その上に第2の層間絶縁膜の第1層を形成し、この第1層をエッチバックして第1層3Aとする。この上に、第2の層間絶縁膜の第2層4を形成し、化学的研磨法により研磨してその表面を平坦化して第2層4Aとする。シーム状の不連続点の軌跡Xが第1層3Aには生じるが、第2層4Aには生じない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属配線層(2)上に層間絶縁膜を複数層により形成する工程と、該層間絶縁層の表面を化学的研磨法により研磨して平坦化する工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-299846
  
• 特開平3-194932
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-296972   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置,およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026366   出願人：三菱電機株式会社