特許
J-GLOBAL ID：200903071717357680
金属層界面の導電率測定方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216795
公開番号（公開出願番号）：特開2000-046756
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】金属層と誘電体基板との界面の導電率を測定することのできる新規な測定方法を提供する。【解決手段】表面に金属層4が被着形成された誘電体基板5からなる被測定物における金属層4と誘電体基板5との界面の導電率を測定する方法であって、比誘電率および誘電正接が既知の誘電体円柱6の両端面を、誘電体基板5が誘電体円柱6と対向するように挟持するか、あるいは誘電体円柱6の一方の端面を誘電体基板5と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板7と対向させて挟持してなる誘電体共振器AまたはBを形成し、誘電体共振器AまたはBにより生成されたTE0mn モード(m=1,2,3,・・、n=1,2,3,・・・)の共振波形から測定した共振周波数f0 および無負荷Q,Quに基づき、金属層4と誘電体基板5との界面の高周波導電率を算出する。
請求項（抜粋）：
表面に金属層が被着形成された誘電体基板からなる被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の導電率を測定する方法であって、比誘電率および誘電正接が既知の誘電体円柱の両端面を前記被測定物の誘電体基板が前記誘電体円柱と対向するように挟持するか、あるいは前記誘電体円柱の一方の端面を前記被測定物の誘電体基板と対向させ、他方の端面を導電率が既知の導体板と対向させて挟持してなる誘電体共振器を形成し、該誘電体共振器により生成されたTE0mn モード(m=1,2,3,・・、n=1,2,3,・・)の共振波形から共振周波数および無負荷Qを測定し、前記共振周波数および無負荷Qに基づき、被測定物における前記金属層と前記誘電体基板との界面の高周波導電率を算出することを特徴とする金属層界面の導電率測定方法。
FI (3件)：
G01N 22/00 V
, G01N 22/00 F
, G01N 22/00 T
