特許
J-GLOBAL ID：200903071772304641
デュアルゲート構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181194
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 デュアルゲート構造では、ゲート電極の金属層または金属化合物層と通じて多結晶シリコン中の不純物の相互拡散を起こして、トランジスタ特性を劣化させている。【解決手段】 第1,第2ゲート電極16N,16P とを一つのゲート配線16で形成したデュアルゲート構造であって、第1ゲート電極16N が第1導電型(以下、N型)多結晶シリコン層21N と金属化合物層22とからなり、第2ゲート電極16P が第2導電型(以下、P型)多結晶シリコン層21P と金属化合物層22とからなり、N型,P型多結晶シリコン層21N,21P との接続領域21A 上で金属化合物層22が分離された状態で形成されているものである。また接続領域21A に、N型,P型結晶シリコン層21N,21P よりも不純物濃度が高い高濃度不純物領域(図示省略)が設けられているものである。
請求項（抜粋）：
第1ゲート電極と第2ゲート電極とを一つの配線で形成したデュアルゲート構造において、前記第1ゲート電極は、第1導電型の多結晶シリコン層と金属層、または第1導電型の多結晶シリコン層と金属層と金属化合物層とからなり、前記第2ゲート電極は、第2導電型の多結晶シリコン層と金属層、または第2導電型の多結晶シリコン層と金属層と金属化合物層とからなり、前記第1導電型の多結晶シリコン層と前記第2導電型の多結晶シリコン層との接合領域上で、前記金属層、または前記金属層と金属化合物層とが分離された状態で形成されていることを特徴とするデュアルゲート構造。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/76
H01L 27/08 321 D
, H01L 21/76 M
