特許
J-GLOBAL ID：200903071778900823
半導体装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-037024
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220749
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】半導体装置の製造方法において信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板200の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜210と、該剥離酸化膜210上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子20と、を含むSOI装置1100を製造する工程と、半導体素子20が形成された半導体基板200の表面を転写先基板230に接着する接着工程と、半導体基板200の裏面より光30を照射して剥離酸化膜210を局所的に加熱する加熱工程と、剥離酸化膜210中、及び/又は剥離酸化膜210と半導体基板200との界面において剥離を生じさせて、半導体素子20を転写先基板230に転写させる転写工程と、を含む。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に形成された酸化珪素膜からなる剥離酸化膜と、該剥離酸化膜上に形成された単結晶半導体膜を用いた半導体素子と、を含むSOI装置を製造する工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体基板の表面を転写先基板に接着する接着工程と、
前記半導体基板の裏面より光を照射して前記剥離酸化膜を局所的に加熱する加熱工程と、
前記剥離酸化膜中、及び/又は前記剥離酸化膜と前記半導体基板との界面において剥離を生じさせて、前記半導体素子を前記転写先基板に転写させる転写工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L27/12 B
, H01L29/78 627D
5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG44
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN65
, 5F110QQ16
