特許
J-GLOBAL ID：200903058958315434

超薄型電気光学表示装置の製造方法および製造装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415445
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310051
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 高い電子・正孔移動度を有した単結晶半導体の電気光学表示素子を用いて、高輝度、高精細で高機能の透過型LCD、反射型LCD、上面発光型有機EL、下面発光型有機ELなどの超薄型の電気光学表示装置を得る。【解決手段】 単結晶Si基板10に陽極化成法で低多孔質Si層11a、高多孔質Si層11b、低多孔質Si層11cを形成し、低多孔質Si層11c上にエピタキシャル成長の単結晶Si層12を形成し、単結晶Si層12内に、LCDの表示素子および周辺回路を形成して電気光学表示素子基板層を作製し、配向膜13b形成および配向処理する。さらに、配向膜14b形成および配向処理した対向基板14を所定の液晶ギャップで重ね合わせて封止固着し、高多孔質Si層11bから単結晶Si基板10を分離し、分離後の低多孔質Si層11cに支持基板を接着剤により貼り合わせ、各電気光学表示装置に分割する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、 前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、 前記単結晶半導体層に表示素子および周辺回路を形成する工程と、 前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、 前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板の裏面に支持体を貼り付ける工程と、 前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
IPC (8件)：
G09F9/00 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (8件)：
G09F9/00 338 ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 B ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (72件)：
2H088FA01 ,  2H088FA05 ,  2H088FA10 ,  2H088FA18 ,  2H088FA19 ,  2H088FA30 ,  2H088HA02 ,  2H088HA08 ,  2H088HA21 ,  2H088JA04 ,  2H088JA05 ,  2H088JA09 ,  2H088MA20 ,  2H090JA01 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JB05 ,  2H090JC01 ,  2H090JC06 ,  2H090JC20 ,  2H090JD01 ,  2H090JD13 ,  2H090JD17 ,  2H090KA04 ,  2H090KA05 ,  2H090KA07 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H090LA20 ,  2H092GA13 ,  2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA23 ,  2H092JB07 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092KA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA24 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA12 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092RA05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BA07 ,  3K007BB02 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA02 ,  5G435AA06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435GG01 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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