特許
J-GLOBAL ID：200903046659688749

超薄型半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383056
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179649
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】 従来の50μmよりも薄い、例えば1〜10μm程度の超薄型半導体装置の製造方法および製造装置の提供。【解決手段】 種子基板20に低多孔質Si層21、高多孔質Si層22、低多孔質Si層23、単結晶Si層24を形成し、支持基板25に低多孔質Si層26、高多孔質Si層27、低多孔質Si層28、単結晶Si層29、絶縁層30を形成し、種子基板20および支持基板25を絶縁層30の形成面で貼り合わせ、種子基板20を、種子基板20の高多孔質Si層22から分離し、水素アニール処理により単結晶Si層24の表面をエッチングして平坦化し、単結晶Si層24に半導体デバイスおよび突起状のバンプ電極を形成し、スクライブライン内に、少なくとも高多孔質Si層27まで切り溝を入れた後、糊残りのない導電性のUV照射硬化型テープで、単結晶Si層24の表面を保護し、高多孔質Si層27から支持基板25を分離する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
それぞれ半導体からなる種子基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせる工程と、 前記種子基板に形成した多孔質層から前記種子基板を分離する工程と、 前記支持基板に形成した多孔質層から前記支持基板を分離する工程と を含む超薄型半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/02 C ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 Q
Fターム (2件)：
5F052DA03 ,  5F052KA01
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (15件)
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