半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200833
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】信頼性に優れ且つ微細化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】シリコン酸化膜2の上に有機SOG膜3を形成し、有機SOG膜3に対し、ホウ素イオンを注入する。このように、有機SOG膜3にホウ素イオンを導入することで、膜中の有機成分を分解させると共に、膜中に含まれる水分及び水酸基を減少させる。そして、改質SOG膜4にダマシン法を用いて金属配線6を埋め込んだ後、その上に改質SOG膜8を形成し、更に、コンタクトホール9a,9bを形成する。コンタクトホール9a,9b内に接続孔配線10を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質SOG膜11及び上層金属配線12を形成する。

請求項（抜粋）：

不純物が導入された第1の絶縁膜に第1の配線を埋め込み形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に、前記第1の配線に通じるコンタクトホールを形成する工程と、少なくとも前記コンタクトホール内に、前記第1の配線に電気的に接続される第2の配線を形成する工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 K , H01L 21/316 X , H01L 21/316 G , H01L 21/90 C

Fターム (95件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ25 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ23 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ62 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ65 , 5F033QQ66 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR12 , 5F033RR22 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS07 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS14 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033XX01 , 5F033XX10 , 5F033XX12 , 5F058AD04 , 5F058AD05 , 5F058AD06 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG06 , 5F058BA07 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD19 , 5F058BF46 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-181593 出願人：三洋電機株式会社
配線形成方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-049672 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-227294 出願人：三洋電機株式会社

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