二元的な厚さの誘電体層を有する半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319674
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】二元的な厚さの誘電体層を有する半導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 (a)側壁21を有する貫通する孔20を備えるマスクを構造上に形成する工程と、(b)前記構造内に抑制領域26を形成するように、孔20を通して前記構造に抑制化学種24を打ち込む工程と、(c)前記孔20内の構造上に誘電体層28を成長させる工程とを含み、ここで、抑制領域26は、誘電体層28の成長を部分的に抑制する。これにより、薄い酸化物MOSFETの特性を有し、低いオーバーラップ容量と低いゲート誘導ドレイン・リーク(すなわち、低い電界)を有する自己整合MOSFETもしくはアンチヒューズ・デバイスを形成することができる。

請求項（抜粋）：

二元的な厚さの誘電体層を有する半導体デバイスを製造する方法であって、(a)側壁を持つ貫通する孔を有するマスクを構造上に形成する工程と、(b)前記構造内に抑制領域を形成するように、前記孔を通して前記構造に抑制化学種を打ち込む工程と、(c)前記孔内の前記構造上に二元的な厚さの誘電体層を成長させる工程とを含み、前記抑制領域は、前記誘電体層の成長を部分的に抑制する方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/82

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P , H01L 21/82 F

Fターム (51件)：

5F064FF28 , 5F064FF41 , 5F064GG01 , 5F064GG03 , 5F140AA11 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BB06 , 5F140BB16 , 5F140BC06 , 5F140BD18 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG13 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH05 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK16 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-135236 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-316889 出願人：富士通株式会社
半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-054037 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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