特許
J-GLOBAL ID:200903071802949022
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-016492
公開番号(公開出願番号):特開2001-210676
出願日: 2000年01月26日
公開日(公表日): 2001年08月03日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップをフィルム基板に搭載したものにおいて、フィルム基板に設けられた接続端子の変形を防止するとともに、半導体チップのエッジがフィルム基板の配線とショートしないようにする。【解決手段】 半導体チップ13は、デバイスホールを有しないフィルム基板1の下面に搭載されている。この場合、フィルム基板11の厚さは10〜50μmと薄いので、半導体チップ13をヒーター内蔵のステージ上に載置し、フィルム基板11の上側からボンディングツールで加熱加圧しても、良好な接合が得られる。また、接続端子12aのバンプ電極14に接合された部分の近傍および該近傍に対応する部分におけるフィルム基板11は半導体チップ13の上面から離間するように変形されている。
請求項(抜粋):
半導体チップの一面に設けられた金属からなる複数のバンプ電極と、前記半導体チップ搭載領域の全体に亘って前記半導体チップの一面に対応する一面および他面を有するフィルム基板の、前記一面側に設けられた金属からなる複数の接続端子とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップを加熱した状態で前記フィルム基板の他面にボンディングツールを接触し、前記各バンプ電極と前記フィルム基板に設けられた各接続端子とを加熱加圧して接合し前記フィルム基板に前記半導体チップを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 21/603
FI (3件):
H01L 21/60 311 T
, H01L 21/60 311 W
, H01L 21/603 C
Fターム (4件):
5F044MM03
, 5F044MM16
, 5F044MM23
, 5F044NN08
引用特許: