特許
J-GLOBAL ID:200903065524464420
半導体装置、配線基板、電子装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松本 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-071362
公開番号(公開出願番号):特開平11-330149
出願日: 1999年03月17日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】配線基板、半導体装置及び電子装置において、温度サイクルにおける信頼性を向上する。【解決手段】その主面上に形成された複数の外部電極を有する半導体チップと、インナーリードの真下に絶縁基材が設けられ、その絶縁基材からインナーリードが突出しないようにリードが配設された配線基板とを有し、前記複数の外部電極と前記リードのインナーリードの接続部とが接合で接続され、前記各接合を含む接続部が封止材で封止されてなる半導体装置であって、前記外部電極とインナーリードの接続部がそれぞれ金もしくは錫からなり、前記接合が金と錫による金錫接合からなる。
請求項(抜粋):
その主面上に形成された複数の外部電極を有する半導体チップと、インナーリードの真下に絶縁基材が設けられ、その絶縁基材からインナーリードが突出しないようにリードが配設された配線基板とを有し、前記複数の外部電極と前記リードのインナーリードの接続部とが接合で接続され、前記各接合を含む接続部が封止材で封止されてなる半導体装置であって、前記外部電極とインナーリードの接続部がそれぞれ金もしくは錫からなり、前記接合が金と錫による金錫接合からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
FI (2件):
H01L 21/60 311 R
, H01L 23/12 L
引用特許:
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