特許

J-GLOBAL ID：200903071812842463

半導体素子

発明者： 藤本 慎治
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057247
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260779
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 エミッタ・クラウディング効果による影響を軽減することができ、広い電流レンジにおいてデバイスとして機能する半導体素子を提供する。【解決手段】 ベース層7、エミッタ層8、およびコレクタ層6が設けられ、エミッタ層8はベース層7内に形成されているバイポーラトランジスタ1において、エミッタ層8には、横断面形状が八角形の開口81、81...が多数形成されるとともに、上下に並ぶ2つの開口81、81間には、横断面の大きさが開口81より小さな七角形の細長い孔82、82...が、X字状に4個ずつ形成され、開口81...と孔82...の周縁部は、ベース層7と接している。

請求項（抜粋）：

ベース、エミッタ、およびコレクタが設けられ、トランジスタの機能を有し、前記エミッタは前記ベース内に形成されている半導体素子において、前記エミッタには、横断面形状が多角形の開口と、横断面の大きさが前記開口より小さな孔が、それぞれ多数設けられ、前記開口と前記孔の周縁部は、前記ベースと接していることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Fターム (17件)：

5F003AP01 ,  5F003AP06 ,  5F003BA24 ,  5F003BA25 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC08 ,  5F003BE05 ,  5F003BE08 ,  5F003BE09 ,  5F003BE90 ,  5F003BF01 ,  5F003BF02 ,  5F003BF03 ,  5F003BG03 ,  5F003BH01 ,  5F003BP31

引用特許：

出願人引用 (3件)

• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-117411   出願人：ローム株式会社
• 特開平1-262665
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-092282   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (1件)

• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-117411   出願人：ローム株式会社