特許

J-GLOBAL ID：200903071822349498

直交変換回路、電力変換装置、及び、発電システム

発明者： 安部 正幸 ,  増田 敦彦 ,  佐々木 博一 ,  田畑 健 ,  越後 満秋 ,  山崎 修
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251870
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子のスイッチング期間の最適範囲を特定することで直交変換回路の直交変換効率を向上させる【解決手段】 直交変換回路が、独立してオン・オフ動作するスイッチング素子が2個直列してなる直列回路を2組以上並列にして直流入力端子間に接続し、各スイッチング素子のオン・オフ動作を夫々所定のタイミングで交互に繰り返すことにより、各直列回路の中間ノード間に交流電力を出力し、スイッチング素子がGaN系材料を使用した1つのFET、または2つ以上のFETが直列して形成されたスイッチング回路であり、スイッチング素子のオン・オフ動作におけるスイッチング素子に流れる電流またはスイッチング素子の両端における電位差の上昇時間と下降時間との何れもが、0.1〜10(単位:ナノ秒)である。

請求項（抜粋）：

独立してオン・オフ動作するスイッチング素子が2個直列してなる直列回路を2組以上並列にして直流入力端子間に接続し、前記各スイッチング素子のオン・オフ動作を夫々所定のタイミングで交互に繰り返すことにより、前記各直列回路の中間ノード間に交流電力を出力する直交変換回路であって、前記スイッチング素子がGaN系材料を使用した1つのFET、または2つ以上のFETが直列して形成されたスイッチング回路であり、前記スイッチング素子のオン・オフ動作における前記スイッチング素子に流れる電流または前記スイッチング素子の両端における電位差の上昇時間と下降時間との何れもが、0.1〜10(単位:ナノ秒)であることを特徴とする直交変換回路。

IPC (3件)：

H02M 7/5387 ,  G05F 1/67 ,  H02M 3/00

FI (3件)：

H02M 7/5387 Z ,  G05F 1/67 A ,  H02M 3/00 T

Fターム (19件)：

5H007AA03 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H420CC03 ,  5H420DD02 ,  5H420DD03 ,  5H420EA12 ,  5H420EA45 ,  5H420EB37 ,  5H420EB39 ,  5H730AA10 ,  5H730AA14 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730DD21 ,  5H730DD26

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 無停電電源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-027021   出願人：富士電機株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103002   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平4-150765
  
• 多重ゲートMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-287598   出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268379   出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社, 日立水戸エンジニアリング株式会社
• BiMIS回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-078398   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-150765