特許
J-GLOBAL ID：200903071826050195
SOI基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150408
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 SIMOX法で作成するSOI基板において、活性層内に形成される結晶欠陥を低減する。【解決手段】 SOI基板は、Si基板(10)に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するSiO2膜(230)を有する。濃度が最大となる濃度ピークの深さ位置に結晶欠陥(240)が残存しても、これは、活性層外であるため、デバイスの作動に影響を与えない。低ドーズSIMOX法を採用することで、低コストでSOI基板が得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の主面とほぼ平行な方向に連続する埋込みSiO2膜と、該埋込みSiO2膜の下方に、前記主面と実質的に平行に並ぶ複数のSiO2島とを有することを特徴とするSOI基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 J
, H01L 27/12 E
