特許

J-GLOBAL ID：200903071857232461

検査データ解析システムと検査データ解析プログラム

発明者： 小野 眞 ,  小西 潤子
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201046
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019356
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 集積回路、液晶ディスプレイ、光トランシーバ、薄膜磁気ヘッドなど多数の工程を経て形成される製造物の不良の発生源を推定するのための検査データ解析方法やその情報システムを提供する。【解決手段】 解析対象のウエハ番号を選択するステップ101、検査データを読み込むステップ102、製造経路データを読み込むステップ103、ウエハ別に装置コード別の頻度を数えるステップ104、装置コード別かつ頻度別に検査データをグルーピングするステップ105、装置コード別にグループ間の検査データ分布を比較するステップ106、結果を装置コード間で比較するステップ107を実行することで、不良の発生源を推定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の工程を経て形成される製造物の不良発生源を推定するための検査データ解析システムであって、 該製造物が通過した製造工程の製造装置を特定する装置コード番号の情報を、前記製造物毎に作成される製造経路データとして記録する製造経路データ管理ユニットと、 該製造物を検査装置で検査して得た検査データを格納する検査データ管理ユニットと、 前記製造物毎の製造経路データを読み出し、各装置コード番号毎に、出現頻度毎の製造物のグループを構成し、各製造物に対応した前記検査データを読み出して、前記 グループ毎の検査データ分布を作成し、および、前記装置コード番号毎に出現頻度毎の検査データ分布の分散比の確率分布を計算するデータ解析ユニットとを有し、 前記データ解析ユニットは、ユーザの指定に応じて、前記出現頻度と前記検査データとの相関図を出力表示することを特徴とする検査データ解析システム。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L21/66 Z ,  H01L21/02 Z

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ27

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造装置および方法、ならびに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-174264   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198219   出願人：株式会社日立製作所