特許

J-GLOBAL ID：200903071864512607

プラズマ処理装置

発明者： 池永 和幸 ,  西尾 良司 ,  吉岡 健 ,  鈴木 慎一 ,  黒木 啓二 ,  金井 三郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057360
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、誘導結合によりプラズマを生成し、そのプラズマを利用して被処理物を処理する高周波放電装置に関し、エッチングプロセス中に起こる絶縁性反応容器内壁へのエッチングやスパッタを防ぎ、不純物の発生を抑制する。それにより、精度の良いエッチングプロセスを提供し、スループットを向上させることができる。【解決手段】絶縁性反応容器とその周辺に巻き付けられた誘導アンテナを有し、絶縁性反応容器の温度を一定に制御する加熱機構と冷却機構を備え、絶縁性反応容器の周辺に密閉空間を構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも部分的に絶縁性の部分を有する反応容器と、該反応容器の部分の周辺に巻き付けられた誘導アンテナと、該誘導アンテナに接続されたインピーダンス調整機能を持つ高周波回路と、前記誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源で構成されているプラズマ反応容器であって、前記反応容器を温度制御する加熱機構と冷却機構とを備え、前記反応容器の周辺に密閉空間を構成し、該プラズマ反応容器内で試料を処理することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 A

Fターム (23件)：

4K030FA04 ,  4K030FA06 ,  4K030KA08 ,  4K030KA22 ,  4K030KA26 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM28 ,  4K057DM39 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB05 ,  5F004BB32 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK11 ,  5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072754   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317556   出願人：国際電気株式会社
• 平行板電極プラズマリアクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-309698   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227766   出願人：株式会社日立製作所