特許

J-GLOBAL ID：200903071869603635

半導体装置

発明者： 金子 佐一郎 ,  星 正勝 ,  林 哲也 ,  田中 秀明
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281461
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051041
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】ノーマリーオフ特性を得やすく、ゲート電極に電圧を印加しない状態でドレイン電極に電圧を印加すると、ドレイン電流が流れてしまうのを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】N+型Si基板10とN-型Siエピタキシャル領域20からなる半導体基体中に設けられる第1導電型のN型Siドレイン領域と、該ドレイン領域内に形成される第1導電型のN+型Siソース領域40と、同じくドレイン領域内に形成される、前記半導体基体よりもバンドギャップの大きい半導体材料を用いて形成される第2導電型のP+型SiCゲート領域30とを少なくとも有する構成。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基体中に設けられる第1導電型のドレイン領域と、該ドレイン領域内に形成される第1導電型のソース領域と、同じく前記ドレイン領域内に形成される、前記半導体基体よりもバンドギャップの大きい半導体材料を用いて形成される第2導電型のゲート領域と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

FI (2件)：

H01L29/80 V ,  H01L29/80 C

Fターム (7件)：

5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL03 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素半導体装置とそれを用いた電力変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-385416   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037077   出願人：松下電工株式会社
• 化合物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171726   出願人：株式会社アドバンテスト
• 特開昭60-261176
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体SiC技術と応用, 20030331, pp.10-11