特許

J-GLOBAL ID：200903071876449889

半導体装置の製造方法

発明者： 小澤 良夫 ,  水津 康正 ,  綱島 祥隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-123283
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260203
出願日： 2004年04月19日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】 小さな熱バジェットで、かつプラズマダメージを招くことなく、リソグラフィの能力を超えたシリコン窒化膜からなるパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン膜を含む被加工膜上にシリコン窒化膜を含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をリソグラフィおよびエッチングを用いて加工し、前記絶縁膜からなるパターンを形成する工程と、酸素ラジカルまたはオゾンを含む雰囲気中で前記パターンを酸化処理して、前記シリコン窒化膜の露出表面をシリコン酸化膜に変換する工程と、前記シリコン酸化膜を除去することで、前記パターンを微細化する工程と、前記被加工膜を加工し、前記微細化されたパターンを前記被加工膜に転写する工程とを含む。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

シリコン膜を含む被加工膜上にシリコン窒化膜を含む絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜をリソグラフィおよびエッチングを用いて加工し、前記絶縁膜からなるパターンを形成する工程と、 酸素ラジカルまたはオゾンを含む雰囲気中で前記パターンを酸化処理して、前記シリコン窒化膜の露出表面をシリコン酸化膜に変換する工程と、 前記シリコン酸化膜を除去することで、前記パターンを微細化する工程と、 前記微細化されたパターンを前記被加工膜に転写し、前記被加工膜を加工する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (8件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (113件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD45 ,  4M104DD55 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033KK25 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA19 ,  5F083JA05 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F101BA29 ,  5F101BA34 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD35 ,  5F101BH03 ,  5F101BH06 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16 ,  5F140AA19 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140BC06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG49 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 集積回路の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-268003   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開平2-303022
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305966   出願人：株式会社東芝
• ゲート絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183738   出願人：シャープ株式会社