特許
J-GLOBAL ID：200903097915793672
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148543
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】信頼性の高いゲート酸化膜を形成すること。【解決手段】p型シリコン基板11の表面に形成した酸化シリコン膜を窒化して窒化酸化シリコン膜20を形成した後、この窒化酸化シリコン膜20を酸素ラジカルにより再酸化して、膜中のトラップサイトを少なくするとともに、ゲート酸化膜13とシリコン基板11との界面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
シリコン層を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、この酸化シリコン膜を窒化して窒化酸化シリコン膜を形成する工程と、この窒化酸化シリコン膜を酸素原子を有する分子を含むガスのプラズマに晒して改質する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/318
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 27/10 434
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 P
