半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250417
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092738
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は、この点を鑑みてなされたものであり、熱酸化膜と比べて電流密度が低下することなく、かつ、オキシナイトライド膜中での窒素原子の効果を充分に生かし、長期的信頼性を確保することが可能なトンネル絶縁を備えた半導体装置と、このような特性を備えた半導体装置の簡便な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の第1は半導体装置に関するものであり、半導体基板あるいは第1の導電膜と導体、半導体基板あるいは第1の導電膜と隣接して形成され、少なくとも、シリコン原子、酸素原子及び窒素原子が導入された絶縁膜であり、キャリアがトンネルする領域の窒素原子濃度が他の領域の窒素原子濃度よりも低く形成されたトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜と隣接して形成された第2の導電膜とが備えられたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板あるいは第1の導電膜と、半導体基板あるいは第1の導電膜と隣接して形成され、少なくともシリコン原子、酸素原子及び窒素原子が導入された絶縁膜であり、キャリアがトンネルする領域の窒素原子濃度が他の領域の窒素原子濃度よりも低く形成されたトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜と隣接して形成された第2の導電膜と、が備えられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 29/88

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 29/88 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-080117 出願人：株式会社東芝
特開平4-199683
特開平3-181178

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