ゲート絶縁膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128441
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335876
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 SiO2と同等の界面準位密度と、SiO2より優れた信頼性を有するゲート絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン基板1表面にゲート絶縁膜3を形成し、このゲート絶縁膜3に対して、まずN2Oを用いた熱酸窒化を行った後、O2により再酸化を行う。これにより、SiON/Si界面近傍のみ低窒素濃度領域を有するSiONを形成することが可能となり、界面準位密度が低くSiO2と同等の電子移動度を持ちながら、初期絶縁耐圧(TZDB)、絶縁破壊電荷量(QBD)、ホットエレクトロン耐性がSiO2より優れたゲート絶縁膜を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化膜を形成した後、少なくとも窒素と酸素とを含む反応性ガス雰囲気中で第一の熱処理を行い、その後、少なくとも酸素を含み、且つ反応性の窒素の組成比が10%以下である反応性ガス中で第二の熱処理を行うことを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-196587
特開平1-248561
半導体装置の製法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249893 出願人：ソニー株式会社

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