特許
J-GLOBAL ID：200903071906639963
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041798
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242117
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 ARCエッチング時に被エッチング膜もエッチングされ段差が生じているようなときに、プロセス的には被エッチング膜の膜厚が薄くなっているため終点検出信号が十分に取れず、基板までエッチングしてしまう。【解決手段】 まず、シリコン基板1上にゲート酸化膜2、ロコス酸化膜3を形成する。その上に、ポリシリコン膜4を形成する。次に、ポリシリコン膜4上にARC膜5を形成する。続いて、ARC膜5上にフォトレジスト6をスピン塗布する。露光、現像によって、フォトレジストパターン7を形成する。次に、ウエハをECRエッチング装置で、エッチングガスが酸素(O2)と塩素(Cl2)との混合ガスとし、ウエハ温度が、塩素ガスとARC又はレジストの反応によって生じるCCl系の物質が昇課せず、デポ物となるような温度でエッチングを行い、エッチ後ARCパターン8を得る。この後、フォトレジストパターン17をマスクに通常の条件でポリシリコン膜14をエッチングする。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成された下地からの反射を防止する有機性の反射防止膜を、レジストマスクを用いて、ドライエッチングするを有する半導体装置の製造方法において、ウエハ温度を、塩素ガスと被エッチング材料との反応の結果生成される物質が堆積するような温度に保持し、塩素と酸素とからなるエッチングガス又は塩素と酸素とを含むエッチングガスを用いることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
引用特許：
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