加速度センサ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321140
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134759
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】ベース部とキャップ部とが接合され、それらの間にセンサ部が封止された加速度センサにおいて、ベース部とキャップ部の接合強度を向上させた加速度センサを提供する。【解決手段】半導体基板上に、センサ部と、センサ部の周囲を囲む枠部が設けられ、枠部上に拡散防止層とノンドープ多結晶シリコン層とが積層されたベース部と、基体上にニッケル層が形成されたキャップ部とを含み、ベース部のノンドープ多結晶シリコン層とキャップ部のニッケル層とが共晶接合される。

請求項（抜粋）：

ベース部とキャップ部とが接合され、それらの間にセンサ部が封止された加速度センサであって、a) 半導体基板と、該半導体基板上に堆積された不純物がドーピングされた多結晶シリコン層から形成された、センサ部と該センサ部の周囲を囲む枠部と、該枠部上に順次積層された拡散防止層とノンドープ多結晶シリコン層とを含むベース部と、b) 基体と、該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層に接するように該基体上に設けられたニッケル層とを含むキャップ部とを含み、該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層と該キャップ部の該ニッケル層とが共晶接合されて、該ベース部と該キャップ部との間に該センサ部が封止されたことを特徴とする加速度センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01P 15/08 , G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 Z , G01P 15/125 , G01P 15/08 P

Fターム (11件)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112DA02 , 4M112DA06 , 4M112DA13 , 4M112DA18 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

加速度計
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-134808 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-037506 出願人：三菱電機株式会社

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