半導体装置及びその実装方法、並びにその実装部の検査方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340685
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181124
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】電極接合部の未接合不良を簡単な光学的検査では発見できず検査のコストが増大する。【解決手段】突起電極が行及び列方向に複数個配された半導体装置において、最外側の行又は列方向に配された低い突起電極3aの高さを、その内側に配された高い突起電極3bの高さより約50μm低く設定し形成する。この半導体装置を基板5上に実装接合した後、最外側の行又は列に配された低い突起電極3aの接合状態を光学的検査を行い、このとき未接合不良が発生していなければ、その内側に配された高い突起電極3bに未接合不良が発生していないと評価できる。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された電極と接合材を介して電気的に接合される突起電極が、行及び列方向に複数個配されて構成された突起電極群を有する半導体装置において、上記突起電極群の最外側の行又は列に配された上記突起電極の高さが、その内側に配された上記突起電極の高さより低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 321 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 321 Y , H01L 21/66 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭59-208768
特開昭59-188155
バンプ検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-201277 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (4件)

特開昭59-208768
特開昭59-188155
バンプ検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-201277 出願人：富士通株式会社

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