特許
J-GLOBAL ID：200903071922596310

半導体発光素子の製法

発明者：
園部 雅之

園部 雅之 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255929
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングによるダメージやコンタミネーションの付着を防止し、電気特性および発光効率の向上した半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 (a)基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスク10で覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極9、8を設けることにより発光素子のチップを形成する。
請求項（抜粋）：
(a)基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスクで覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極を設けることにより発光素子のチップを形成する半導体発光素子の製法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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