特許
J-GLOBAL ID：200903071954766144
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062487
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264896
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】動作寿命が長く、信頼性の高い半導体レーザを提供すること。【構成】基板1上に、欠陥低減層である結晶構造がウルツ鉱構造で結晶面がほぼ(0001)面のn型CdZnS層4を介して、結晶構造が閃亜鉛鉱構造または立方晶構造、結晶面がほぼ(111)面の低欠陥の半導体層5等を形成することにより、素子内の欠陥密度を低減して、素子寿命を向上させ、信頼性を高める。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、結晶構造がウルツ鉱構造、結晶面がほぼ(0001)面のウルツ鉱構造層からなる欠陥低減層と、この欠陥低減層上に形成され、結晶構造が閃亜鉛鉱構造または立方晶構造、結晶面がほぼ(111)面の半導体層とを具備してなることを特徴する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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