圧力センサデバイス及び信号処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268420
公開番号（公開出願番号）：特開2002-071492
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】ダイヤフラムに所定の厚み分布を形成することで、小型化及び高性能化を図ることができる圧力センサデバイス及び信号処理装置を提供すること。【解決手段】中空部11cを有する支持枠11と、中空部11cの底面に形成され、圧力の印加により変形するダイヤフラム12と、ダイヤフラム12に設けられていて、ダイヤフラム12の変形により歪むことで圧力を検出する圧力検出部13とを備えた圧力センサデバイス10において、ダイヤフラム12は、薄肉領域21と、圧力検出部13の一部もしくは全部を含んでおり、薄肉領域21の厚みよりも厚くなるように形成された厚肉領域22とを有する。

請求項（抜粋）：

中空部を有する支持枠と、前記中空部の底面に形成され、圧力の印加により変形するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに設けられていて、前記ダイヤフラムの変形により歪むことで圧力を電気的信号として検出する圧力検出部とを備えた圧力センサデバイスにおいて、前記ダイヤフラムは、薄肉領域と、前記圧力検出部の一部もしくは全部を含んでおり、前記薄肉領域の厚みよりも厚くなるように形成された厚肉領域と、を有することを特徴とする圧力センサデバイス。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (16件)：

2F055AA05 , 2F055AA39 , 2F055BB01 , 2F055BB19 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055FF49 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA09 , 4M112DA02 , 4M112DA10 , 4M112EA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-083023
半導体圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-027028 出願人：富士電機株式会社
半導体圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143783 出願人：株式会社フジクラ

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