特許
J-GLOBAL ID：200903072018057103

シリコン系材料層のパターニング方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-251702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115900
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 単結晶シリコン基板へのトレンチエッチング等、シリコン系材料層のパターニングにおいて、対レジストマスク選択比が大きく、異方性に優れ、しかもパーティクル汚染の少ないプロセスを提供する。【構成】 COx 、NOx あるいはCOx 等の無機酸化物ガスと、ハロゲン系ガスの混合ガスによるプラズマエッチングを施す。この時形成される側壁保護膜5は、レジストマスク4の分解生成物を主体とし、ハロゲンの含有量が少なくC-O結合等の極性基を取り込んだ、イオン衝撃やラジカル攻撃に対する耐性の高い性質を有する。ハロゲン化イオウ系ガスを添加してイオウ系化合物を側壁保護膜に併用してもよい。【効果】 側壁保護膜の膜質の強化により、その堆積量を減らすことができ、また入射イオンエネルギを下げても異方性エッチングが可能となる。このため、パーティクル汚染やレジストマスクの膜減りが防止できる。
請求項（抜粋）：
酸化炭素、酸化窒素および酸化イオウから選ばれる少なくとも1種の無機酸化物ガスと、ハロゲン系ガスを含む混合ガスにより、シリコン系材料層をプラズマエッチングすることを特徴とする、シリコン系材料層のパターニング方法。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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