特許

J-GLOBAL ID：200903072022623890

低仕事関数陰極

発明者： ドンシェン・マオ ,  ズヴィ・ヤニフ ,  リチャード・フィンク ,  イゴール・パブロフスキー
出願人/特許権者： アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-510266
公開番号（公開出願番号）：特表2008-541356
出願日： 2006年05月05日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

電界放出特性は、金属酸化物で炭素材料をコーティングすることによっても改善し得る。こうした金属酸化物は、炭素材料の仕事関数を低下させることに寄与し、また、特に高電流密度での動作時において、炭素材料の電界放出特性の寿命を改善する。

請求項（抜粋）：

基板と、 金属酸化物でコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備えた電界放出装置。

IPC (2件)：

H01J 1/304 ,  H01J 31/12

FI (2件)：

H01J1/30 F ,  H01J31/12 C

Fターム (15件)：

5C036EE01 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB08 ,  5C135AB18 ,  5C135AC01 ,  5C135HH02 ,  5C135HH03 ,  5C135HH07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許出願第5548185号明細書
  
• 米国特許出願第6436221号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 保護膜を有する炭素ナノチューブを具備した電界放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-003998   出願人：三星電子株式会社
• フィールド・エミッタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190659   出願人：ジスーン・イーム
• 電界放出型カソード、電子放出装置、及び電子放出装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-370360   出願人：日立粉末冶金株式会社, ソニー株式会社