特許
J-GLOBAL ID：200903051727978975

フィールド・エミッタ

発明者：
ジスーン・イーム

ジスーン・イーム について


出願人/特許権者：
ジスーン・イーム

ジスーン・イーム について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190659
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203471
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 フィールド・エミッション表示装置の動作を改良することが出来るカーボンナノチューブを基礎としたフィールド・エミッタを提供すること。【解決手段】 カーボンナノチューブ10は、高硬度の半導体層又は絶縁体層12によって被覆される。この半導体層又は絶縁体層12は、n型にドープされ、数ナノメートル(nm)以内の厚さで、外部原子又は粒子(通常、陽イオン)からの衝突に対して良好な安定性を有する。BN、GaN、Si3N4、TiC、B4C等を含むB、C、Nの化合物の一種、TiO2、Al2O3、MgO等を含む酸化物の数種及び、SrTiO3等を含む強誘電体の幾つかが使用でき、またダイヤモンド状炭素(DLC)又はダイヤモンド粒子も使用可能である。
請求項（抜粋）：
電子衝撃加熱蒸着法を使用してカーボンナノチューブ上に半導体又は絶縁体を蒸着し、該カーボンナノチューブ上に半導体層又は絶縁体層を堆積して形成されることを特徴とする、フィールド・エミッタ。
IPC (2件)：
H01J 1/304 ,  H04N 5/68
FI (2件)：
H04N 5/68 B ,  H01J 1/30 F
Fターム (2件)：
5C058AA01 ,  5C058BA35
引用特許：
審査官引用 (6件)
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