特許
J-GLOBAL ID：200903072041989811

スロット付き量子井戸センサ

発明者：
グナパラ サラス ディー

グナパラ サラス ディー について

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バンダラ スミス ブイ

バンダラ スミス ブイ について

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リュウ ジョン ケイ

リュウ ジョン ケイ について

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ウィルソン ダニエル ダブリュ

ウィルソン ダニエル ダブリュ について


出願人/特許権者：
カリフォルニア・インスティチュート・オブ・テクノロジー

カリフォルニア・インスティチュート・オブ・テクノロジー について


代理人 (1件)： 大庭 咲夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584534
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530893
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】量子井戸センサ(100)が、基板(102)の上に形成された、空間で分離された量子井戸カラム(110)のアレイを備えている。結合効率を高めるため、格子(118)を形成することができる。
請求項（抜粋）：
放射線エネルギーを感知する量子井戸半導体装置であって; 実質的に透明な半導体材料製の基板;および カラム形で配置されかつ電気的に絶縁性のギャップによって互いに空間で分離されていて、そして前記基板上に形成されて周期的なアレイを形成する複数の量子井戸構造体;を備えてなり; 各量子井戸カラムが、前記基板上に形成された第一導電性密着層、前記第一導電性密着層の上に平行に形成されかつ前記量子井戸層に垂直に偏光された放射線を吸収する作動を行う複数の交互量子井戸層を有する量子井戸スタック、および前記量子井戸スタックの上に形成された第二導電性密着層を備えている;量子井戸半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 31/0264
FI (3件)：
H01L 29/06 601 W ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 L
Fターム (12件)：
5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049QA16 ,  5F049RA04 ,  5F049WA01 ,  5F088AB07 ,  5F088BA04 ,  5F088EA03 ,  5F088EA04 ,  5F088LA01
引用特許：
出願人引用 (14件)
  • 共鳴トンネル型フオトトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194375   出願人：日本電信電話株式会社
  • 単極性半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078049   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
  • ユニットルームにおける天井パネルの取付け構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065681   出願人：積水化学工業株式会社
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審査官引用 (14件)
  • 特開平3-094480
  • 共鳴トンネル型フオトトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194375   出願人：日本電信電話株式会社
  • 単極性半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078049   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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