特許
J-GLOBAL ID：200903007010663113
超格子半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-088535
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283849
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 簡単でかつ低価格に作成することができ、しかも発光効率がよく信頼性の高い超格子半導体発光素子を提供する。【解決手段】 2つの電極間に、障壁層と量子井戸層とが交互に積層された超格子構造の真性半導体i層を備え、所定のバイアス電圧を2つの電極間に印加したときに、障壁層のX点の準位と当該障壁層の一方の側に隣接する量子井戸層の1次のΓ点の準位とが互いに共鳴しかつ当該障壁層のX点の準位と当該障壁層の他方の側に隣接する量子井戸層の2次のΓ点の準位とが互いに共鳴するように、各障壁層と各量子井戸層の各厚さを設定し、所定のバイアス電圧を2つの電極間に印加して、量子井戸層の2次のΓ点の準位に電子を注入して、注入した電子を他方の側に隣接する量子井戸層の1次のΓ点の準位に遷移させて発光させる。
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、障壁層と量子井戸層とが交互に積層されてなる超格子構造を有する真性半導体i層を備えた超格子半導体発光素子であって、所定のバイアス電圧を上記2つの電極間に印加したときに、上記障壁層のX点の準位と当該障壁層の一方の側に隣接する量子井戸層の1次のΓ点の準位とが互いに共鳴するように、かつ当該障壁層のX点の準位と当該障壁層の他方の側に隣接する量子井戸層の2次のΓ点の準位とが互いに共鳴するように、上記各障壁層の厚さと上記各量子井戸層の厚さとを設定し、上記バイアス電圧を上記2つの電極間に印加することにより、上記一方の側に隣接する量子井戸層の1次のΓ点の準位の電子を上記他方の側に隣接する量子井戸層の2次のΓ点の準位に注入して、注入された電子を上記他方の側に隣接する量子井戸層の1次のΓ点の準位に遷移させて発光させることを特徴とする超格子半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 33/00 A
