特許
J-GLOBAL ID:200903072051620522

薄層複合一形態強誘電ドライバー及びセンサー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野 由己男 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-530515
公開番号(公開出願番号):特表平11-503272
出願日: 1996年04月04日
公開日(公表日): 1999年03月23日
要約:
【要約】強誘電ウエハの製造法を提供する。プレストレス層を望ましい型に置く。強誘電ウエハをプレストレス層の上に置く。これらの層を加熱して冷却し、強誘電ウエハにプレストレスを生じせしめる。プレストレス層は補強材を含んでいてもよく、強誘電ウエハは電極を含んでいてもよく、或いは電極層を強誘電層のいずれかの側に置いてもよい。この方法を用いて製造されるウエハは非常に改良された出力運動を持つ。
請求項(抜粋):
請求項1 デバイス用の型を選択し、選択された型にプレストレス層を載置し、前記プレストレス層の上に強誘電層を載置し、前記プレストレス層と前記強誘電層とを加熱し、前記プレストレス層と前記強誘電層とを冷却する、強誘電性デバイスの製造方法。請求項2 前記プレストレス層が補強層を含む、請求項1に記載の強誘電性デバイスの製造方法。請求項3 前記強誘電層が表面電極を含む、請求項1に記載の強誘電性デバイスの製造方法。請求項4 前記プレストレス層と前記強誘電層との間に電極層を載置し、且つ前記強誘電層の上に電極層を載置することをさらに含む、請求項1に記載の強誘電性デバイスの方法。請求項5 前記プレストレス層が接着材である、請求項1に記載の強誘電性デバイスの方法。請求項6 前記強誘電層が圧電物質である、請求項1に記載の強誘電性デバイスの方法。請求項7 前記強誘電層が圧電歪み物質である、請求項1に記載の強誘電性デバイスの方法。請求項8 強誘電層が複合材から形成されている、請求項1に記載の強誘電性デバイスの方法。
IPC (3件):
H01L 41/09 ,  G01L 1/16 ,  H01L 41/22
FI (3件):
H01L 41/08 C ,  G01L 1/16 ,  H01L 41/22 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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