特許
J-GLOBAL ID：200903072059315532
半導体不良解析システムおよび方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260844
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体不良解析判定表に必要に応じて新しい電気テスト結果の組み合わせを自動的に追加できる半導体不良解析システムを提供する。【解決手段】 半導体素子の電気テスト結果と不良要因を対応づけした判定表と、その判定表に基づいて半導体素子の不良要因を特定する手段と、不良要因特定の際に判定表に含まれない電気テスト結果の組み合わせが現れた場合にはその組み合わせを自動的に追加する手段とを具備する半導体不良解析システムである。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電気テスト結果と不良要因を対応づけした判定表と、前記判定表に基づいて前記半導体素子の不良要因を特定する手段と、前記判定表に含まれない電気テスト結果の組み合わせを自動的に追加する手段とを少なくとも具備することを特徴とする半導体不良解析システム。
Fターム (7件)：
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA14
, 4M106CA27
, 4M106DJ20
, 4M106DJ26
, 4M106DJ38
