特許
J-GLOBAL ID：200903072062740708
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031195
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 内部に含まれる各メモリごとに不良メモリセルの最適な救済を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 データメモリ領域DMAaに配置されるデータメモリの不良メモリセルの救済には、多少アクセスペナルティはあっても救済効率のよい冗長救済方式を用いた救済回路を冗長ロウ領域RRAおよび冗長カラム領域RCAに配置する。一方、タグメモリ領域TMAaに配置されるタグメモリの不良メモリセルの救済には、救済の効率はあまりよくなくてもアクセスペナルティが少ない冗長救済方式を用いた救済回路を冗長カラム領域TRCAに配置する。したがって、タグメモリおよびデータメモリの各機能に応じた不良メモリセルの最適な救済を行なうことが可能となる。
請求項（抜粋）：
同一チップ上に集積され、それぞれが異なる機能を有する第1および第2メモリを含む半導体記憶装置であって、前記第1メモリは、第1冗長救済方式によりメモリセルの不良を救済する第1救済手段を含み、前記第2メモリは、前記第1冗長救済方式と異なる第2冗長救済方式によりメモリセルの不良を救済する第2救済手段を含む半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G06F 12/08 310
