特許
J-GLOBAL ID：200903072078567976

半導体素子のレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む電子デバイス

発明者：
グリル、アルフレッド

グリル、アルフレッド について

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メダイロス、デヴィッド、アール

メダイロス、デヴィッド、アール について

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ペイテル、ヴィシヌブハイ、ヴィー

ペイテル、ヴィシヌブハイ、ヴィー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-544765
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515057
出願日： 2001年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】【解決手段】Si原子、C原子、O原子およびH原子を含む熱的に安定な超低誘電率膜を、プラズマ化学蒸着(PECVD)プロセスを用いて平行平板型化学蒸着装置で作製する方法を開示する。この方法で調整した熱的に安定な超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスもさらに開示する。熱的に安定な超低誘電率膜の作製を可能にするために、例えばテトラメチルシクロテトラシロキサンおよびシクロペンテンオキシドなどの環状シロキサンや環状構造を含む有機分子など、特定の前駆物質材料を使用する。プラズマCVD装置中のプラズマを安定させ、それにより堆積膜の均一さを向上させるために、CO2をキャリア・ガスとしてTMCTSに加える、あるいはCO2またはCO2とO2の混合物をプラズマCVD装置に加える。
請求項（抜粋）：
熱的に安定な超低誘電率膜を作製する方法であって、 プラズマCVD装置を提供するステップと、 前記プラズマCVD装置中で基板を位置決めするステップと、 環状シロキサン分子を含む第1の前駆物質ガスを前記プラズマCVD装置中に流入させるステップと、 C原子、H原子およびO原子を有する環状構造を有する有機分子を含む少なくとも第2の前駆物質ガスを前記プラズマCVD装置中に流入させるステップと、 Si、C、OおよびHを含み、かつナノメートル・サイズの複数の孔を含む膜を前記基板上に堆積させるステップとを含む方法。
IPC (3件)：
H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (4件)：
H01L21/312 C ,  H01L21/316 X ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 N
Fターム (36件)：
5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD01 ,  5F058AD05 ,  5F058AF02 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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