特許
J-GLOBAL ID:200903072094461649
エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
近藤 利英子
, 吉田 勝広
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-322831
公開番号(公開出願番号):特開2004-134780
出願日: 2003年09月16日
公開日(公表日): 2004年04月30日
要約:
【課題】 燐酸水溶液を使用する窒化珪素膜のエッチング液を対象とし、該エッチング液中において生成する珪素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減すること。【解決手段】 エッチング槽において、窒化珪素膜をエッチングするために用いた、燐酸水溶液からなるエッチング液を再生する方法において、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液をエッチング槽から取り出し、前記取り出したエッチング液に水を加えて、該エッチング液の燐酸濃度を80〜50質量%に下げる工程と、該燐酸濃度の低下によってエッチング液中に析出した珪素化合物をエッチング液から除去する工程とを有することを特徴とするエッチング液の再生方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
エッチング槽において、窒化珪素膜をエッチングするために用いた、燐酸水溶液からなるエッチング液を再生する方法において、該エッチングにより生じる珪素化合物を含むエッチング液をエッチング槽から取り出し、前記取り出したエッチング液に水を加えて、該エッチング液の燐酸濃度を80〜50質量%に下げる工程と、該燐酸濃度の低下によってエッチング液中に析出した珪素化合物をエッチング液から除去する工程とを有することを特徴とするエッチング液の再生方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/306 J
, H01L21/308 E
Fターム (4件):
5F043AA35
, 5F043BB23
, 5F043DD07
, 5F043EE33
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-022676
出願人:三菱電機株式会社
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ウェットエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-008739
出願人:日本電気株式会社
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